Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Dual N, 8-Pin TDSON

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

33,92 kr

(exkl. moms)

42,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 948 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1816,96 kr33,92 kr
20 - 4815,29 kr30,58 kr
50 - 9814,225 kr28,45 kr
100 - 19813,215 kr26,43 kr
200 +12,32 kr24,64 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3883
Tillv. art.nr:
IPG20N10S4L22AATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOSTM-T2

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Dual N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Forward Voltage Vf

1V

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is Dual N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

relaterade länkar