Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 180 A, 40 V Enhancement TO-263
- RS-artikelnummer:
- 258-3804
- Tillv. art.nr:
- IPB180P04P403ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
16 335,00 kr
(exkl. moms)
20 419,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 16,335 kr | 16 335,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3804
- Tillv. art.nr:
- IPB180P04P403ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.
No charge pump required for high side drive
Simple interface drive circuit
Highest current capability
relaterade länkar
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263 IPB180P04P403ATMA2
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB180P04P4L02ATMA2
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A Enhancement TO-263 IPB180N10S402ATMA1
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
- Infineon iPB Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-263
