Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

29,57 kr

(exkl. moms)

36,962 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 996 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1814,785 kr29,57 kr
20 - 4812,71 kr25,42 kr
50 - 9811,815 kr23,63 kr
100 - 19810,865 kr21,73 kr
200 +10,19 kr20,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-0717
Tillv. art.nr:
BSZ084N08NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

TSDSON

Serie

BSZ

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

8.4mΩ

Kanalläge

N

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

63W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

20nC

Framåtriktad spänning Vf

0.86V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS, IEC 61249-2-21

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS 5 80V industrial power MOSFET offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.

Highest system efficiency

Reduced switching and conduction losses

Less paralleling required

Increased power density

Relaterade länkar