Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 258-0717
- Tillv. art.nr:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
29,57 kr
(exkl. moms)
36,962 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 4 996 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 14,785 kr | 29,57 kr |
| 20 - 48 | 12,71 kr | 25,42 kr |
| 50 - 98 | 11,815 kr | 23,63 kr |
| 100 - 198 | 10,865 kr | 21,73 kr |
| 200 + | 10,19 kr | 20,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0717
- Tillv. art.nr:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.4mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 63W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.86V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.4mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 63W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.86V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS 5 80V industrial power MOSFET offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.
Highest system efficiency
Reduced switching and conduction losses
Less paralleling required
Increased power density
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 40 A 80 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 40 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 40 A 25 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 158 A 40 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 102 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 7 A 200 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 5 A 250 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Typ N Kanal 61 A 30 V N TSDSON, BSZ
