Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 257 A 60 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

78 980,00 kr

(exkl. moms)

98 725,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +15,796 kr78 980,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-0680
Tillv. art.nr:
BSC014N06NSTATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

257A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.45mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

89nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

188W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness. Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.

Low RDS(on)

Optimized for synchronous rectification

Longer life time

Highest efficiency and power density

Highest system reliability

Thermal robustness

Relaterade länkar