Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9439
- Tillv. art.nr:
- IRFS7540TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
6 569,60 kr
(exkl. moms)
8 212,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 8,212 kr | 6 569,60 kr |
| 1600 + | 7,932 kr | 6 345,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9439
- Tillv. art.nr:
- IRFS7540TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.1mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 88nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.1mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 88nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRFS series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a Lead Free D2 Pak package.
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 110 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 270 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 210 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 160 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 195 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 200 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 24 A 200 V HEXFET
