Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 200 V, TO-263, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

63,95 kr

(exkl. moms)

79,938 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 648 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1831,975 kr63,95 kr
20 - 4828,785 kr57,57 kr
50 - 9826,88 kr53,76 kr
100 - 19824,92 kr49,84 kr
200 +23,295 kr46,59 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9428
Tillv. art.nr:
IRFS38N20DTRLP
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

43A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-263

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

54mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

320W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

60nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IRFS series is the 200V single n channel IR mosfet in a D2 Pak package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

High current carrying capability package (up to 195 A, die size dependent)

Capable of being wave soldered

Relaterade länkar