Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 200 V, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9428
- Tillv. art.nr:
- IRFS38N20DTRLP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
63,95 kr
(exkl. moms)
79,938 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 648 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 31,975 kr | 63,95 kr |
| 20 - 48 | 28,785 kr | 57,57 kr |
| 50 - 98 | 26,88 kr | 53,76 kr |
| 100 - 198 | 24,92 kr | 49,84 kr |
| 200 + | 23,295 kr | 46,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9428
- Tillv. art.nr:
- IRFS38N20DTRLP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 43A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 54mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 320W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 43A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 54mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Maximal effektförlust Pd 320W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRFS series is the 200V single n channel IR mosfet in a D2 Pak package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
High current carrying capability package (up to 195 A, die size dependent)
Capable of being wave soldered
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 43 A 200 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 43 A 150 V TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 43 A 60 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 62 A 200 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 24 A 200 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 270 A 60 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 17 A 100 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 64 A 55 V HEXFET
