Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-8194
- Tillv. art.nr:
- IRF3415STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
153,89 kr
(exkl. moms)
192,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 30,778 kr | 153,89 kr |
| 25 - 45 | 27,686 kr | 138,43 kr |
| 50 - 95 | 27,148 kr | 135,74 kr |
| 100 - 245 | 22,266 kr | 111,33 kr |
| 250 + | 21,862 kr | 109,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-8194
- Tillv. art.nr:
- IRF3415STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 43A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.042Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | EIA 418 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 43A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.042Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden EIA 418 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 200 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 150 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET