Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

17 088,00 kr

(exkl. moms)

21 360,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,696 kr17 088,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5546
Tillv. art.nr:
IRFR4615TRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

33A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Kretskort

Maximal drain-källresistans Rds

34mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

26nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

144W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface mount package

Relaterade länkar