Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.1 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 256-7348
- Tillv. art.nr:
- SI2393DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
4 029,00 kr
(exkl. moms)
5 037,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,343 kr | 4 029,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7348
- Tillv. art.nr:
- SI2393DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.12mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay Semiconductor P-channel 30 V (D-S) mosfet 30 V 6.1A (Ta), 7.5A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) have surface mount with SOT-23-3 (TO-236) package type.
TrenchFET gen IV p-channel power mosfet
100 % Rg and UIS tested
applications
Load switch
Circuit protection
Motor drive control
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal 6.1 A 30 V SOT-23
- Vishay P-kanal Kanal -3.1 A -20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal -6 A -8 V SOT-23, Si2329DS
- Vishay Typ P Kanal 3.5 A 20 V Förbättring SOT-23, Si2377EDS
- Vishay Typ P Kanal 4.4 A 40 V Förbättring SOT-23, Si2319CDS
- Vishay Typ P Kanal 5.9 A 30 V Förbättring SOT-23, Si2343CDS
- Vishay Typ P Kanal 2.2 A 80 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 185 mA 60 V Förbättring SOT-23, TP0610K