Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 185 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TP0610K
- RS-artikelnummer:
- 787-9018
- Tillv. art.nr:
- TP0610K-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 787-9018
- Tillv. art.nr:
- TP0610K-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 185mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | TP0610K | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.4V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 185mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie TP0610K | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.4V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Halogenfri
Definition
TrenchFET® effekt-MOSFET
High-Side-omkoppling
Låg påslagningsresistans: 6
Låg tröskel: - 2 V (typ.)
Snabb omkopplingshastighet: 20 ns (typ.)
Låg ingångskapacitans: 20 pF (typ.)
2000 V ESD-skydd
ANSÖKNINGAR
Drivare: reläer, solenoider, lampor, hammare, display,
Minnen, transistorer, etc.
Batteridrivna system
Strömförsörjningsomvandlarkretsar
Halvledarreläer
FÖRDELAR
Enkelt att köra omkopplare
Låg förskjutningsspänning (fel)
Lågspänningsdrift
Höghastighetskretsar
Enkel att köra utan buffert
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 0.19 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TP0610K
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2323DDS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2343CDS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2377EDS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.2 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
