Vishay Si2329DS Type P-Channel MOSFET, -6 A, -8 V, 3-Pin SOT-23 SI2329DS-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

131,50 kr

(exkl. moms)

164,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 900 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 255,26 kr131,50 kr
50 - 755,156 kr128,90 kr
100 - 2253,934 kr98,35 kr
250 - 9753,853 kr96,33 kr
1000 +2,392 kr59,80 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
256-7347
Tillv. art.nr:
SI2329DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-8V

Series

Si2329DS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.12Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.3nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

The Vishay Semiconductor P-channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) surface mount SOT-23-3 (TO-236) halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition.

TrenchFET power mosfet

100 % Rg tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

relaterade länkar