Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -6 A -8 V, 3 Ben, SOT-23, Si2329DS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

131,50 kr

(exkl. moms)

164,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 255,26 kr131,50 kr
50 - 755,156 kr128,90 kr
100 - 2253,934 kr98,35 kr
250 - 9753,853 kr96,33 kr
1000 +2,392 kr59,80 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
256-7347
Tillv. art.nr:
SI2329DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-6A

Maximal källspänning för dränering Vds

-8V

Serie

Si2329DS

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.12Ω

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.3nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

5 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.04mm

Höjd

1.12mm

Bredd

1.4 mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Vishay Semiconductor P-channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) surface mount SOT-23-3 (TO-236) halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition.

TrenchFET power mosfet

100 % Rg tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Relaterade länkar