Vishay Typ P Kanal, MOSFET, -6 A -8 V, 3 Ben, SOT-23, Si2329DS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

7 848,00 kr

(exkl. moms)

9 810,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,616 kr7 848,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
256-7346
Tillv. art.nr:
SI2329DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-6A

Maximal källspänning för dränering Vds

-8V

Serie

Si2329DS

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.12Ω

Maximal spänning för grindkälla Vgs

5 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.3nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.04mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS

Höjd

1.12mm

Bredd

1.4 mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay Semiconductor P-channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) surface mount SOT-23-3 (TO-236) halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition.

TrenchFET power mosfet

100 % Rg tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Relaterade länkar