onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 450 enheter)*

91 296,45 kr

(exkl. moms)

114 120,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
450 - 450202,881 kr91 296,45 kr
900 - 900198,824 kr89 470,80 kr
1350 +194,766 kr87 644,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
254-7673
Tillv. art.nr:
NTHL015N065SC1
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

58A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247

Serie

NTH

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

22mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

283nC

Maximal effektförlust Pd

117W

Framåtriktad spänning Vf

4.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


The ON Semiconductor NTH series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Used in solar inverters

High junction temperature

High speed switching and low capacitance

Relaterade länkar