onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 254-7675
- Tillv. art.nr:
- NTHL015N065SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 enhet)*
210,02 kr
(exkl. moms)
262,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 512 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 210,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-7675
- Tillv. art.nr:
- NTHL015N065SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 58A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 283nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 117W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 58A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 283nC | ||
Maximal effektförlust Pd 117W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Kiselkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
ON Semiconductor NTH-serien av en silikonkarbidmosfet använder en helt ny teknik som ger överlägsen omkopplingsprestanda och högre tillförlitlighet jämfört med kisel. Dessutom med låg påslagningsresistans och kompakt chipstorlek. Det säkerställer en låg kapacitans och grindladdning. Följaktligen inkluderar systemfördelarna högsta effektivitet, snabbare driftfrekvens, ökad effekttäthet, minskad EMI och minskad systemstorlek.
Används i solcellsväxelriktare
Hög samlingstemperatur
Höghastighetsomkoppling och låg kapacitans
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 84 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH