Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 35.7 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SiS4608DN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
252-0287
Tillv. art.nr:
SIS4608DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8

Serie

SiS4608DN

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.01mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

33.7W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.3 mm

Höjd

3.3mm

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar