Vishay N Kanal, MOSFET, 36.2 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 252-0289
- Tillv. art.nr:
- SIS4608LDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 63,80 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
104,72 kr
(exkl. moms)
130,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 030 enhet(er) från den 05 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 10,472 kr | 104,72 kr | - |
| 100 - 490 | 9,834 kr | 98,34 kr | 63,80 kr |
| 500 - 990 | 8,915 kr | 89,15 kr | 778,50 kr |
| 1000 - 2490 | 8,378 kr | 83,78 kr | 2 094,00 kr |
| 2500 + | 7,862 kr | 78,62 kr | 6 525,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-0289
- Tillv. art.nr:
- SIS4608LDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.01mΩ | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Maximal effektförlust Pd | 33.7W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.01mΩ | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Maximal effektförlust Pd 33.7W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien innehåller ett mångsidigt utbud av avancerade tekniker. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. Fälteffekten innebär att de styrs av spänning. N-kanal MOSFET-transistorer innehåller ytterligare elektroner som är fria att röra sig. De är en mer populär kanaltyp. N-kanal MOSFET-transistorer fungerar när en positiv laddning appliceras på grindterminalen.
TrenchFET Gen V effekt-MOSFET
Mycket låg RDS - Qg meritfaktor (FOM)
Inställd för den lägsta RDS - Qoss FOM
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 36.2 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 43.4 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 44.4 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.9 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 35.7 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SiS4608DN AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 44.4 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8PT AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 49.3 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101