Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 44.4 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

11 799,00 kr

(exkl. moms)

14 748,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,933 kr11 799,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
252-0282
Tillv. art.nr:
SIS4604DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

44.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.01mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal effektförlust Pd

33.7W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.3mm

Bredd

3.3 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar