Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 43.4 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

91,39 kr

(exkl. moms)

114,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 035 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4518,278 kr91,39 kr
50 - 24517,18 kr85,90 kr
250 - 49515,568 kr77,84 kr
500 - 124514,628 kr73,14 kr
1250 +13,732 kr68,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
252-0280
Tillv. art.nr:
SIR4608LDP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

43.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.01mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal effektförlust Pd

83W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

56nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.15mm

Bredd

5.15 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.

TrenchFET Gen V power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar