Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 0.28 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, BSS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 704,00 kr

(exkl. moms)

2 130,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30000,568 kr1 704,00 kr
6000 - 120000,539 kr1 617,00 kr
15000 +0,517 kr1 551,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
250-0541
Tillv. art.nr:
BSS138WH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

0.28A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SOT-323

Serie

BSS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon makes SIPMOS Small-Signal-Transistor, N-channel, Enhancement mode. The device is dv /dt rated and Pb-free lead-plating. It has Vds of 60 V, Rds(on)max is 3.5 Ω and Id is 0.28 A. It is Halogen-free, P-channel Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

100% lead-free

Maximum power dissipation is 360mW

Relaterade länkar