Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 0.95 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0523
- Tillv. art.nr:
- BSD235CH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
22,40 kr
(exkl. moms)
28,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 8 910 enhet(er) från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,24 kr | 22,40 kr |
| 100 - 240 | 2,139 kr | 21,39 kr |
| 250 - 490 | 2,083 kr | 20,83 kr |
| 500 - 990 | 1,949 kr | 19,49 kr |
| 1000 + | 1,232 kr | 12,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0523
- Tillv. art.nr:
- BSD235CH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.95A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | BSD235C | |
| Antal ben | 6 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±12 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.95A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie BSD235C | ||
Antal ben 6 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±12 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon makes this 20V complementary P + N channel widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. This Enhancement mode mosfet offers, super logic level (2.5V rated). The device is Avalanche rated and 100% lead-free.
Super logic level with 2.5 V rating
Operating temperature is 150°C
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal -1.5 A 40 V Förbättring SOT-363, BSV AEC-Q101
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad 880 mA 20 V Förbättring SOT-363 AEC-Q101
- Toshiba 2 Typ N Kanal Dubbel 300 mA 60 V Förbättring SOT-363 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel 250 mA 30 V Förbättring SOT-363, DMN AEC-Q101
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel 850 mA 20 V Förbättring SOT-363, TrenchFET AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel 1 A 30 V Förbättring SOT-363, DMN3190LDWQ AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N MOSFET 6 Ben, SOT-363
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel 217 mA 60 V Förbättring SOT-363 AEC-Q100, AEC-Q200
