Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY3B AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

4 766,38 kr

(exkl. moms)

5 957,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 16 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 14 766,38 kr
2 +4 647,33 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0223
Tillv. art.nr:
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

400A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

AG-EASY3B

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.44mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-10 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 60747, 60749 and 60068

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon Half bridge CoolSiC MOSFET EasyDUAL™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ halfbridge module with CoolSiC™ MOSFET with enhanced generation 1, integrated NTC temperature sensor and PressFIT Contact Technology.

Low switching losses

High current density

Low inductive design

PressFIT contact technology

Integrated NTC temperature sensor

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

Relaterade länkar