Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S4L07ATMA2

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

32,48 kr

(exkl. moms)

40,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 980 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1816,24 kr32,48 kr
20 - 4814,505 kr29,01 kr
50 - 9813,72 kr27,44 kr
100 - 19812,71 kr25,42 kr
200 +11,705 kr23,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-6904
Tillv. art.nr:
IPB80N06S4L07ATMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature

relaterade länkar