Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 75 V N, 7 Ben, TO-263, IMBG

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

78,18 kr

(exkl. moms)

97,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 478,18 kr
5 - 974,37 kr
10 - 2472,80 kr
25 - 4967,98 kr
50 +63,28 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
248-9319
Tillv. art.nr:
IMBG65R057M1HXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

64A

Maximal källspänning för dränering Vds

75V

Kapseltyp

TO-263

Serie

IMBG

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

N

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon SiC MOSFET is a 650 V CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology, leveraging the wide bandgap SiC material characteristics, the 650 V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use, suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.

Optimized switching behaviour at higher currents

Commutation robust fast body diode with low Qf

Superior gate oxide reliability

Tj,max-175°C and excellent thermal behaviour

Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature

Increased avalanche capability

Compatible with standard drivers

Kelvin source provides upto 4 times lower switching losses

Relaterade länkar