Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 75 V N, 7 Ben, TO-263, IMBG

RS-artikelnummer:: 248-9313
Tillv. art.nr:: IMBG65R030M1HXTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 75 V N, 7 Ben, TO-263, IMBG

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

113,79 kr

(exkl. moms)

142,24 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 1 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet
1 - 4	113,79 kr
5 - 9	108,19 kr
10 - 24	103,49 kr
25 - 49	98,90 kr
50 +	92,06 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 248-9313
Tillv. art.nr:: IMBG65R030M1HXTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	64A
	Maximal källspänning för dränering Vds	75V
	Serie	IMBG
	Kapseltyp	TO-263
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	7
	Maximal drain-källresistans Rds	3mΩ
	Kanalläge	N
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A
	Maximal källspänning för dränering Vds 75V
	Serie IMBG
	Kapseltyp TO-263
	Fästetyp Yta
	Antal ben 7
	Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ
	Kanalläge N
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IMBG65R030M1HXTMA1

The Infineon SiC MOSFET is a 650 V CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology, leveraging the wide bandgap SiC material characteristics, the 650 V CoolSiC MOSFET offers a unique combination of performance, reliability and ease of use, suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.

Optimized switching behaviour at higher currents

Commutation robust fast body diode with low Qf

Superior gate oxide reliability

Tj,max-175°C and excellent thermal behaviour

Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature

Increased avalanche capability

Compatible with standard drivers

Kelvin source provides upto 4 times lower switching losses

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 75 V N, 7 Ben, TO-263, IMBG

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Relaterade länkar