Infineon IPN Type N-Channel MOSFET, 6.1 A, 950 V, 3-Pin SOT-223 IPN95R3K7P7ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

32,26 kr

(exkl. moms)

40,325 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 335 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 456,452 kr32,26 kr
50 - 1205,668 kr28,34 kr
125 - 2455,264 kr26,32 kr
250 - 4954,884 kr24,42 kr
500 +4,592 kr22,96 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-2273
Tillv. art.nr:
IPN95R3K7P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

950V

Package Type

SOT-223

Series

IPN

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

2mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver best-in-class price/performance ratio with excellent ease-of-use to address challenges in various applications. The P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies.

Best-in-class FOM RDS(on)*(Eoss) energy dissipated by Coss(output capacitance); reduced gate capacitance (Qg), input capacitance and output capacitance

Best-in-class SOT-223 RDS(on)

Best-in-classV( GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V

Integrated Zener Diode ESD protection

Best-in-class Cool MOS™ quality and reliability

Fully optimized portfolio

relaterade länkar