Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

7 773,00 kr

(exkl. moms)

9 717,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,591 kr7 773,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-2270
Tillv. art.nr:
IPN60R600PFD7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

IPN

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) complements the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications.This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs.

Extremely low losses due to very low FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Low switching losses Eoss, excellent thermal behavior

Fast body diode

Wide range portfolio of RDS(on) and package variations

Enables high power density designs and small form factors

Enables efficiency gains at higher switching frequencies

Excellent commutation ruggedness

Easy to select the right parts and optimize the design

Relaterade länkar