Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

57,68 kr

(exkl. moms)

72,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 695 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4511,536 kr57,68 kr
50 - 12010,372 kr51,86 kr
125 - 2459,676 kr48,38 kr
250 - 4959,004 kr45,02 kr
500 +8,422 kr42,11 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
241-9671
Tillv. art.nr:
BSC026NE2LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

381A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC0

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.7mΩ

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOSTM 5 N-kanals effekt-MOSFET har 25 V dräneringsspänning (VDS) och 82 A dräneringsström (ID). Den erbjuder referenslösningar genom att möjliggöra högsta effekttäthet och energieffektivitet, både i standby-läge och i full drift. Den har bäst i klassen påslagningsresistans och har bredare användning i stationära datorer och servrar, spänningsregulatorer med hög effekttäthet, etc.

Optimerad för högpresterande buck-omvandlare

Mycket låg påslagningsresistans RDS(on) vid VGS = 4,5 V

100 % avalanche-testade

Överlägsen värmebeständighet

N-kanal

Godkänd enligt JEDEC1) för måltillämpningar

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfri enligt IEC61249-2-21

Relaterade länkar