Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 237 A 120 V, 8 Ben, HSOF-8, OptiMOS™

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

44 728,00 kr

(exkl. moms)

55 910,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +22,364 kr44 728,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
236-3669
Tillv. art.nr:
IPT030N12N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

237A

Maximal källspänning för dränering Vds

120V

Kapseltyp

HSOF-8

Serie

OptiMOS™

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Maximal effektförlust Pd

375W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

158nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.1mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS power MOSFET is the ideal fit for battery-powered equipment, with optimal balance between additional voltage breakdown margin and low on-state resistance. It is used in light electric vehicle, low voltage drives and battery powered tools.

High power density and improved thermal management

Less board space needed

High system efficiency and less paralleling required

Relaterade länkar