Infineon OptiMOS™ Type N-Channel MOSFET, 479 A, 25 V, 8-Pin TDSON BSC004NE2LS5ATMA1

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

42 815,00 kr

(exkl. moms)

53 520,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +8,563 kr42 815,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
236-3639
Tillv. art.nr:
BSC004NE2LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

479A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS™

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.45mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

135nC

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.49mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Width

6.35 mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers Benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.45 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

relaterade länkar