Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

42 815,00 kr

(exkl. moms)

53 520,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +8,563 kr42 815,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
236-3639
Tillv. art.nr:
BSC004NE2LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

479A

Maximal källspänning för dränering Vds

25V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS™

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.45mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

135nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

188W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Bredd

6.35 mm

Längd

5.49mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS power MOSFET offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in stand by and full operation. It offers drain source on-state resistance of 0.45 m Ohm.

Highest efficiency

Highest power density in SuperSO8 package

Reduction of overall system costs

RoHS compliant

Halogen free

Relaterade länkar