Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 235-4855
- Tillv. art.nr:
- IPD18DP10LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
92,06 kr
(exkl. moms)
115,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 460 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 18,412 kr | 92,06 kr |
| 50 - 120 | 16,396 kr | 81,98 kr |
| 125 - 245 | 15,456 kr | 77,28 kr |
| 250 - 495 | 14,358 kr | 71,79 kr |
| 500 + | 13,26 kr | 66,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-4855
- Tillv. art.nr:
- IPD18DP10LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 178mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | -42nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 178mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs -42nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon OptiMOS™ P-Channel MOSFETs 100V in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg. It is used in Battery management, Industrial automation.
Available in 4 different packages
Wide range
Normal level and logic level availability
Ideal for high and low switching frequency
Easy interface to MCU
Low design complexity
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 13.9 A 100 V Förbättring TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal 15.1 A P IPD
- Infineon Typ P Kanal 9 A 150 V Förbättring TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal -85 A -40 V Förbättring IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 22 A 100 V Förbättring TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal 13.7 A 100 V Förbättring TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal -50 A -30 V Förbättring IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 50 A 40 V Förbättring TO-252, IPD AEC-Q101