Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 235-4859
- Tillv. art.nr:
- IPD42DP15LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 44,80 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
44,91 kr
(exkl. moms)
56,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 294 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 22,455 kr | 44,91 kr | - |
| 20 - 48 | 20,215 kr | 40,43 kr | 44,80 kr |
| 50 - 98 | 18,87 kr | 37,74 kr | 179,25 kr |
| 100 - 198 | 17,47 kr | 34,94 kr | 498,50 kr |
| 200 + | 16,24 kr | 32,48 kr | 1 243,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-4859
- Tillv. art.nr:
- IPD42DP15LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | IPD | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 420mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | -43nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie IPD | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 420mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs -43nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons OptiMOSTM P-kanal MOSFET 150 V i DPAK-paket representerar den nya tekniken som riktar sig till applikationer för batterihantering, lastomkopplare och skydd mot omvänd polaritet. Den största fördelen med en P-kanalenhet är minskad designkomplexitet i tillämpningar med medelstor och låg effekt. Enkelt gränssnitt till MCU, snabb omkoppling samt avalanche-robusthet gör den lämplig för krävande tillämpningar av hög kvalitet. Den finns tillgänglig på logiknivå med ett brett RDS(on)-område och förbättrar effektiviteten vid låga belastningar på grund av låg Qg. Den används inom batterihantering, industriell automation.
Idealisk för hög och låg omkopplingsfrekvens
Avalanche-tålighet
Ytmonteringspaket med industristandard
Robust, tillförlitlig prestanda
Ökad försörjningssäkerhet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15.1 A P, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 22 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A P, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.7 A P, TO-252, IPD