ROHM Type N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6511END3TL1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

163,97 kr

(exkl. moms)

204,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4532,794 kr163,97 kr
50 - 9528,112 kr140,56 kr
100 - 24523,90 kr119,50 kr
250 - 99523,364 kr116,82 kr
1000 +19,242 kr96,21 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
235-2694
Tillv. art.nr:
R6511END3TL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

400mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

10.4mm

Length

6.4mm

Width

2.4 mm

Automotive Standard

No

The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

relaterade länkar