ROHM Type N-Channel MOSFET, 4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6504END3TL1

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

80,64 kr

(exkl. moms)

100,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 90 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +16,128 kr80,64 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
235-2681
Tillv. art.nr:
R6504END3TL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.05Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

58W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

2.4 mm

Length

6.4mm

Height

10.4mm

Automotive Standard

No

The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

relaterade länkar