ROHM R65 Type N-Channel MOSFET, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6502END3TL1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

64,29 kr

(exkl. moms)

80,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Längd*
10 - 906,429 kr64,29 kr
100 - 2406,104 kr61,04 kr
250 - 4905,645 kr56,45 kr
500 - 9905,197 kr51,97 kr
1000 +5,018 kr50,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-280
Tillv. art.nr:
R6502END3TL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

R65

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.0Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

26W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM MOSFET is a low noise, Super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease of use. This series products achieve superior performance for noise sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Pb free lead plating

RoHS compliant

Fast switching

Drive circuits can be simple

Parallel use is easy

Low on resistance

relaterade länkar