STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 600 V, 7 Ben, HU3PAK, STHU47 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 600 enheter)*

26 691,60 kr

(exkl. moms)

33 364,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
600 +44,486 kr26 691,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
234-8899
Tillv. art.nr:
STHU47N60DM6AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

36A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

STHU47

Kapseltyp

HU3PAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal effektförlust Pd

250W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

55nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

AEC-Q101 qualified

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Relaterade länkar