STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V, 7 Ben, HU3PAK, STHU36N AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 234-8897
- Tillv. art.nr:
- STHU36N60DM6AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 600 enheter)*
21 429,60 kr
(exkl. moms)
26 787,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 600 + | 35,716 kr | 21 429,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 234-8897
- Tillv. art.nr:
- STHU36N60DM6AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | HU3PAK | |
| Serie | STHU36N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 99mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 210W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp HU3PAK | ||
Serie STHU36N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 99mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximal effektförlust Pd 210W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics högspännings-N-kanal-effekt-MOSFET är en del av MDmesh DM6-diodserien med snabb återställning. Jämfört med den tidigare MDmesh snabba generationen kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med ett av de mest effektiva omkopplingsbeteenden som finns på marknaden för de mest krävande högeffektiva brotopologierna och ZVS-fasomvandlarna.
AEC-Q101-godkänd
Husdiod med snabb återhämtning
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindladdning, ingångskapacitet och motstånd
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V, 7 Ben, HU3PAK, STHU36N AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 600 V, 7 Ben, HU3PAK, STHU47 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 600 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STHU60 AEC-Q101
- STMicroelectronics, MOSFET, 90 A 1200 V, HU3PAK, SCT0 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 26 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65N1 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 30 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STH AEC-Q101