Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 288 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, ISC

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

76 875,00 kr

(exkl. moms)

96 095,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +15,375 kr76 875,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
233-4392
Tillv. art.nr:
ISC011N06LM5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

288A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TDSON

Serie

ISC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.15mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

170nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.89kW

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.1mm

Höjd

5.35mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon MOSFET in the SuperSO8 package extends the OptiMOS 5 and 3 product portfolio and enables higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance. It has low reverse recovery charge (Qrr) which improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.

Higher operating temperature rating to 175°C

Superior thermal performance

Relaterade länkar