Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 366 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, IPTG

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

95,65 kr

(exkl. moms)

119,562 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 847,825 kr95,65 kr
10 - 1842,11 kr84,22 kr
20 - 4839,255 kr78,51 kr
50 - 9836,345 kr72,69 kr
100 +33,99 kr67,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
233-4387
Tillv. art.nr:
IPTG014N10NM5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

366A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

HSOG

Serie

IPTG

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

375W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

169nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.1mm

Höjd

2.4mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon OptiMOS power MOSFET IPTG014N10NM5 comes in the improved TO-Leaded package with gullwing leads. With a compatible footprint to TO-Leadless, TOLG allows excellent electrical performance compared to D2PAK 7-pin with ∼60 percent board space reduction. This new package in OptiMOS 5 - 100 V offers very low RDS(on) and is optimized to handle high current 300 A. The flexibility of gullwing leads, OptiMOS in TOLG package shows excellent solder joint reliability on Al-IMS board.

High efficiency and lower EMI

High performance capability

Relaterade länkar