Infineon N Kanal, MOSFET, 108 A 200 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, IPTG
- RS-artikelnummer:
- 233-4388
- Tillv. art.nr:
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1800 enheter)*
52 641,00 kr
(exkl. moms)
65 800,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1800 + | 29,245 kr | 52 641,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 233-4388
- Tillv. art.nr:
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 108A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | HSOG | |
| Serie | IPTG | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 8.75mm | |
| Längd | 10.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 108A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp HSOG | ||
Serie IPTG | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 8.75mm | ||
Längd 10.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS Power MOSFET IPTG111N20NM3FD levereras i den förbättrade TO-ledade förpackningen med gullwing-ledningar. Med ett kompatibelt fotavtryck till TO-Leadless möjliggör TOLG utmärkta elektriska prestanda jämfört med D2PAK 7-pin med ∼60 procent minskat kortutrymme. Detta nya paket i OptiMOS 3 - 200 V erbjuder mycket låg RDS(on) och är optimerat för att hantera hög ström 300 A. Flexibiliteten hos gullwing-ledningar, OptiMOS i TOLG-paket visar utmärkt lödningstillförlitlighet på Al-IMS-kort.
Hög effektivitet och lägre EMI
Hög prestanda
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 108 A 200 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, IPTG
- Infineon N Kanal, MOSFET, 366 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, IPTG
- Infineon N Kanal, MOSFET, 408 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, IPTG
- Infineon N Kanal, MOSFET, 454 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, IPTG
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77 A 250 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, IPTG
- Infineon N Kanal, MOSFET, 300 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, IAUS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 165 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOG, OptiMOS 5 AEC-Q101