STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

81 226,00 kr

(exkl. moms)

101 532,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +81,226 kr81 226,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
233-3040
Tillv. art.nr:
STH12N120K5-2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

STB37N60

Kapseltyp

H2PAK

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

690mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

44.2nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

250W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

15.8 mm

Höjd

4.8mm

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Worldwide best FOM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

100% avalanche tested

Zener-protected

Relaterade länkar