Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 60 V, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

17 365,00 kr

(exkl. moms)

21 705,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +3,473 kr17 365,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
232-6773
Tillv. art.nr:
ISZ0703NLSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

56A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

OptiMOS 5

Kapseltyp

PQFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

9.2mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23nC

Maximal effektförlust Pd

44W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

3.4mm

Längd

3.4mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 60 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Relaterade länkar