Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 214-4341
Tillv. art.nr:: BSZ070N08LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5

Antal (15 enheter, i en förpackning med 15)*

272,16 kr

(exkl. moms)

340,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

22 050 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
15 +	18,144 kr	272,16 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-4341
Tillv. art.nr:: BSZ070N08LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	40A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	PQFN
	Serie	OptiMOS 5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	9.4mΩ
	Kanalläge	N
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	14.1nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	69W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.1mm
	Längd	3.4mm
	Bredd	3.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp PQFN
	Serie OptiMOS 5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 9.4mΩ
	Kanalläge N
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.1nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 69W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.1mm
	Längd 3.4mm
	Bredd 3.4mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSZ070N08LS5ATMA1

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 80 V drain-källspänning, 40 A kontinuerlig drain-ström – BSZ070N08LS5ATMA1

Denna MOSFET är en kompakt N-kanals switchtransistor som är utformad för ytmonterade tillämpningar med hög strömstyrka. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är konstruerad för låg ledningsförlust och effektiv omkoppling i system som kräver robust dränering och måttlig grinddrift. Enheten passar effektsteg på kretskortsnivå där ett litet fotavtryck och PQFN-montering krävs.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 9.4 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Hög kontinuerlig strömstyrka på 40 A stöder drift med hög belastning
• Drain-source-klassningsspänning 80 V möjliggör högre spänningsdesigner
• Typisk grindladdning på 14.1 nC möjliggör snabbare växlingsövergångar
• Maximal effektförlust på 69 W hjälper till att hantera termisk belastning

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för halvbryggsteg för motordrivning på kompakta kretskort
• Används med batterihanteringskretsar i system med högre spänning
• Kan användas för telekom- och serverströmskenor som kräver hög ström

Vilka gränsspänningsgränser måste jag följa för tillförlitlig omkoppling?

Enheten får inte drivas utöver en gate-källpotential på 20 V för att undvika gate-oxidbelastning.

Hur påverkar omgivningstemperaturen kontinuerlig drift?

Kontinuerlig strömkapacitet specificeras vid standardförhållanden, men drift över enhetens termiska område kräver värmehantering då effektförlusten närmar sig 69 W.

Vilka kapslingsegenskaper påverkar kretskortslayout och lödning?

Den använder ett 8-stifts PQFN-ytemonterat paket med ett kompakt fotavtryck på 3,4 x 3,4 mm som kräver ett lämpligt jordmönster och termiska vägar för värmespridning.

Vilka extrema temperaturer tål den under implementeringen?

Komponenten är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C för användning i krävande termiska miljöer.