Infineon N Kanal, MOSFET, 62 A 100 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 214-4342
Tillv. art.nr:: BSZ096N10LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 62 A 100 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

34 330,00 kr

(exkl. moms)

42 910,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

5 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	6,866 kr	34 330,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-4342
Tillv. art.nr:: BSZ096N10LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	62A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	PQFN
	Serie	OptiMOS 5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	13.5mΩ
	Kanalläge	N
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	12nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	69W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.1mm
	Längd	3.4mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	3.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 62A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp PQFN
	Serie OptiMOS 5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 13.5mΩ
	Kanalläge N
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 69W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.1mm
	Längd 3.4mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 3.4mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSZ096N10LS5ATMA1

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 100 V drain-källspänning, 62 A kontinuerlig drain-ström – BSZ096N10LS5ATMA1

Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar där effektiv ledning och en kompakt formfaktor krävs. Den fungerar över ett brett termiskt intervall och är lämplig för krävande elektroniska kretsar som behöver robust strömhantering och låg ledningsförlust utan att ange mekaniska storlekar här.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 13.5 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Hög kontinuerlig dräneringsström 62 A stöder omkoppling vid tung belastning
• 100 V drain-source-klassning möjliggör drift med hög spänning
• Maximal effektförlust på 69 W möjliggör ökad termisk belastning
• Typisk grindladdning 12 nC möjliggör snabbare omkoppling vid hög frekvens
• Gate-source-motstånd 20 V ger marginal för gate-drivningssignaler

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för motordrivningssteg som kräver hög kontinuerlig ström
• Används med snabbväxlande regulatorer i telekomutrustning
• Kan användas för batterihantering i högspänningssystem
• Används i serverströmdistribution och datacenterförsörjning

Vilka extrema temperaturer tolererar den under drift?

Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i termiskt utmanande miljöer.

Vilken montering och stiftanordning använder den för kretskortsmontering?

Komponenten är en ytmonterad enhet som levereras i ett 8-stifts PQFN-paket utformat för kompakt implementering på kortnivå.

Vad är typ av ledningskanal och hur påverkar det kretsdesignen?

Den använder en N-kanalförstärkningsenhet, som kräver lämplig gate-drivningspolaritet och är optimerad för låg-sidiga eller synkrona omkopplingstopologier.

Hur påverkar den framåtriktade spänningen omkopplingsprestanda?

Framspänningen på 1,2 V indikerar diodens ledningsegenskaper under kroppsdiodhändelser och informerar om ledningsförlustberäkningar under kommutering.