Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 100 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 214-4342
- Tillv. art.nr:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
34 330,00 kr
(exkl. moms)
42 910,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 6,866 kr | 34 330,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4342
- Tillv. art.nr:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 62A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 69W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.4mm | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 62A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximal effektförlust Pd 69W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.4mm | ||
Bredd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna Infineon OptiMOS MOSFET erbjuder den toppmoderna R DS(on) av en trench MOSFET tillsammans med det breda säkra arbetsområdet för en klassisk planär MOSFET.
Den är idealisk för tillämpningar med byte under drift och e-säkringar
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 100 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 100 V, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 80 V, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 37 A 100 V, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5