Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 60 V, 8 Ben, PQFN, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 232-6772
- Tillv. art.nr:
- ISZ0702NLSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
70,56 kr
(exkl. moms)
88,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 4 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 14,112 kr | 70,56 kr |
| 50 - 120 | 12,724 kr | 63,62 kr |
| 125 - 245 | 11,85 kr | 59,25 kr |
| 250 - 495 | 11,02 kr | 55,10 kr |
| 500 + | 10,124 kr | 50,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-6772
- Tillv. art.nr:
- ISZ0702NLSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 86A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.6mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 86A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.6mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 60 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.
Logic level availability
Excellent thermal behaviour
100% avalanche tested
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 86 A 60 V PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 40 A 40 V N PQFN, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 56 A 60 V PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 62 A 100 V N PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 40 A 80 V N PQFN, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 105 A 40 V Förbättring PQFN, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 40 A 100 V Förbättring PQFN, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal 58 A 100 V PQFN, OptiMOS 5
