Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 40 V, 8 Ben, TDSON, ISC007N04NM6

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

49 515,00 kr

(exkl. moms)

61 895,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +9,903 kr49 515,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-6556
Tillv. art.nr:
ISC007N04NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

48A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

ISC007N04NM6

Kapseltyp

TDSON

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.7mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

188W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

117nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

5.35mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.1mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon ISC007N04NM6 optiMOSTM 6 power MOSFET 40V normal level, the Infineon offers a benchmark solution for normal level required applications such as battery-powered applications, battery-powered tools, battery management, and low voltage drives. A higher Vth for the normal level portfolio means that only larger gate voltage spikes would cause an unwanted turn-on.

N-channel enhancement mode

Normal level gate threshold 2.3 V typical

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C junction temperature

Relaterade länkar