Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS660CENW-T1_GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

90,27 kr

(exkl. moms)

112,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 780 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 909,027 kr90,27 kr
100 - 2408,557 kr85,57 kr
250 - 4906,776 kr67,76 kr
500 - 9905,869 kr58,69 kr
1000 +4,323 kr43,23 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2968
Tillv. art.nr:
SQS660CENW-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET automotive N-channel is 60 V power MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar