Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

195,225 kr

(exkl. moms)

244,025 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 757,809 kr195,23 kr
100 - 4756,657 kr166,43 kr
500 - 9755,86 kr146,50 kr
1000 +5,08 kr127,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3851
Tillv. art.nr:
SQS966ENW-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

27.8W

Framåtriktad spänning Vf

0.82V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12.1nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Höjd

1.07mm

Bredd

3.15 mm

Längd

3.15mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Relaterade länkar