Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-3851P
- Tillv. art.nr:
- SQS966ENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Mängdrabatt möjlig
Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
665,70 kr
(exkl. moms)
832,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 475 | 6,657 kr |
| 500 - 975 | 5,86 kr |
| 1000 + | 5,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3851P
- Tillv. art.nr:
- SQS966ENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.82V | |
| Maximal effektförlust Pd | 27.8W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.15mm | |
| Bredd | 3.15 mm | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.82V | ||
Maximal effektförlust Pd 27.8W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.15mm | ||
Bredd 3.15 mm | ||
Höjd 1.07mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- CN
TrenchFET® power MOSFET