Vishay E Type N-Channel MOSFET, 25 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB120N60E-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

137,65 kr

(exkl. moms)

172,062 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 796 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1868,825 kr137,65 kr
20 - 9866,75 kr133,50 kr
100 - 19863,95 kr127,90 kr
200 - 49860,535 kr121,07 kr
500 +57,065 kr114,13 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2842
Tillv. art.nr:
SIHB120N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar