Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SC-70, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 031,00 kr

(exkl. moms)

6 288,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,677 kr5 031,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2834
Tillv. art.nr:
SIA938DJT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SC-70

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

21.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12 V

Maximal effektförlust Pd

7.8W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

The Vishay Dual N-Channel MOSFET provides exceptional versatility for power management design.

Very low RDS(on) and excellent RDS x Qg

Figure-of-Merit (FOM) in an ultra compact

package footprint

Relaterade länkar